氮化硅陶瓷具有耐高溫、高比強(qiáng)度、高韌性、優(yōu)異的耐磨性等特性，被廣泛應(yīng)用于航空航天、機(jī)械、汽車、化工、冶金、半導(dǎo)體等重要領(lǐng)域。氮化硅陶瓷部件性能優(yōu)劣，往往取決于所采用的氮化硅粉體原料的純度、雜質(zhì)含量、粒徑分布、物相含量等關(guān)鍵指標(biāo)。但針對(duì)氮化硅粉體改性及其所制材料摩擦磨損性能研究鮮見報(bào)道。目前，國產(chǎn)氮化硅粉體各項(xiàng)指標(biāo)與國外粉體存在一定差距，成為制約氮化硅陶瓷性能提升的重要因素。

現(xiàn)如今，使用增材制造技術(shù)生產(chǎn)部件已不是新鮮事物。多年來，各個(gè)制造商投入重金日復(fù)一日地進(jìn)行 3D 打印機(jī)硬件開發(fā)，使其在可靠性、精度和速度方面取得長足進(jìn)步，可以輕松制造出更為復(fù)雜精密的幾何體。

陶瓷基板作為集成電路和覆銅板的襯底材料，其表面質(zhì)量直接影響后端器件的使用壽命和作用可靠性，為了滿足器件集成化、小型化和高可靠性的發(fā)展要求，未來對(duì)陶瓷基板表面質(zhì)量的要求會(huì)愈發(fā)嚴(yán)苛，應(yīng)用的陶瓷基板表面處理技術(shù)也面臨著越來越嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。

氮化硅因其共價(jià)鍵的結(jié)合方式，具有耐高溫、耐腐蝕、高強(qiáng)高韌、高導(dǎo)熱等優(yōu)異的性能而廣泛應(yīng)用在軸承、高速切削刀具、基板、鑄鋁件等部件中。目前，商業(yè)氮化硅陶瓷的燒結(jié)方式一般有無壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、

探針卡是由探針、電子元件、線材與印刷電路板（PCB）組成的一種測(cè)試接口，根據(jù)不同的情況，還會(huì)有補(bǔ)強(qiáng)板等的需求，主要對(duì)裸芯進(jìn)行測(cè)試。根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景和需求，探針卡可分為多種類型，如懸臂式探針卡、垂直探針卡、MEMS探針卡等。廣泛應(yīng)用于集成電路測(cè)試、半導(dǎo)體制造、汽車電子等領(lǐng)域。

陶瓷球的尺寸精度與表面質(zhì)量對(duì)軸承的壽命有著非常顯著的影響，而要追求尺寸精度和表面質(zhì)量就需要重視研磨液的選擇。通過分析研磨液主要成分以及作用，就能更具針對(duì)性地設(shè)計(jì)拋光液配方，對(duì)研發(fā)高效低成本的陶瓷球研磨拋光液將具有重要意義。

目前，多孔SiC陶瓷主要通過復(fù)制、發(fā)泡和添加造孔劑的方法制備，不同的加工方法開發(fā)應(yīng)用于不同的工業(yè)領(lǐng)域和使用環(huán)境，以滿足孔隙率、孔徑大小和連通度的要求。然而由于多孔SiC陶瓷的燒結(jié)溫度至少在1600℃以上，因此要推廣普及多孔SiC陶瓷的使用，關(guān)鍵是如何降低其制備溫度從而降低成本，目前業(yè)內(nèi)多通過原位反應(yīng)鍵合技術(shù)來實(shí)現(xiàn)低溫制備的目的。

一步燒結(jié)長時(shí)間保溫可以有效減少樣品內(nèi)部存在孔隙的現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)內(nèi)部顏色結(jié)構(gòu)的均一，但是會(huì)導(dǎo)致晶粒異常長大，惡化部分力學(xué)性能。采取兩步燒結(jié)工藝通過在低溫下預(yù)燒延長顆粒重排時(shí)間，在高溫度下保溫促進(jìn)晶粒均勻生長，成功制備出了相對(duì)密度達(dá)到98.25%、微觀形貌均勻、綜合力學(xué)性能優(yōu)異的Si3N4陶瓷。該研究對(duì)制備形狀復(fù)雜綜合力學(xué)性能良好的Si3N4陶瓷結(jié)構(gòu)件具有借鑒意義。

氮化鋁(AlN)具有高強(qiáng)度、高體積電阻率、高絕緣耐壓、熱膨脹系數(shù)、與硅匹配好等特性，不但用作結(jié)構(gòu)陶瓷的燒結(jié)助劑或增強(qiáng)相，尤其是在近年來大火的陶瓷電子基板和封裝材料領(lǐng)域，其性能遠(yuǎn)超氧化鋁。